NSS30101LT1G
Symbol Micros:
TNSS30101LT1G
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; Bipolar; 30V; 5V; 900; 100MHz; 1A; 310mW; -55°C~150°C; Transistor NPN; Bipolar; 30V; 5V; 900; 100MHz; 1A; 310mW; -55°C~150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 310mW |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 900 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
| Verlustleistung: | 310mW |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 900 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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