NST65010MW6T1G

Symbol Micros: TNST65010mw6
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor PNP; 475; 380mW, 65V; 100mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 380mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 475
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2027-07-09
Anzahl Stück: 3000
Verlustleistung: 380mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 475
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole