NST65010MW6T1G
Symbol Micros:
TNST65010mw6
Gehäuse: SOT363
Transistor PNP; 475; 380mW, 65V; 100mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 380mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 65V |
| Verlustleistung: | 380mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 65V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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