NST65010MW6T1G

Symbol Micros: TNST65010mw6
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor PNP; 475; 380mW, 65V; 100mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 380mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NST65010MW6T1G RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2191 0,1211 0,0805 0,0673 0,0626
Standard-Verpackung:
3000/12000
Verlustleistung: 380mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole