NSV1C300ET4G

Symbol Micros: TNSV1C300et4g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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PNP 3A 100V 33W 100MHz 120 < beta < 360 PNP 3A 100V 33W 100MHz 120 < beta < 360
Parameter
Verlustleistung: 2,1W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 360
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NSV1C300ET4G RoHS Gehäuse: TO252t/r (DPACK) Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5464 0,3301 0,2550 0,2299 0,2186
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Standard-Verpackung:
50
Verlustleistung: 2,1W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 360
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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