NSV1C300ET4G

Name: TNSV1C300et4g TNSV1C300et4g
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TNSV1C300et4g
Price: 0.2786 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TNSV1C300et4g

Gehäuse: TO252 (DPACK)

PNP 3A 100V 33W 100MHz 120 < beta < 360 PNP 3A 100V 33W 100MHz 120 < beta < 360

Parameter

Verlustleistung:	2,1W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	360
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NSV1C300ET4G RoHS Gehäuse: TO252t/r (DPACK) Datenblatt

Auf Lager:

25 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5672	0,3427	0,2647	0,2387	0,2269

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NSV1C300ET4G Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2512

Verlustleistung:	2,1W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	360
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP