NTA4153NT1G

Symbol Micros: TNTA4153n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC75-3 (SOT416)
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N-MOSFET-Transistor; 20V; 6V; 950 mOhm; 915mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTA4153NT3G;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 950mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Max. Drainstrom: 915mA
Gehäuse: SC75-3 (SOT416)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NTA4153NT1G RoHS Gehäuse: SC75-3 (SOT416) Datenblatt
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2298 0,1092 0,0614 0,0467 0,0418
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 950mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Max. Drainstrom: 915mA
Gehäuse: SC75-3 (SOT416)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 6V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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