NTD20P06L smd

Symbol Micros: TNTD20p06l001
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Gehäuse: TO252 (DPAK)
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P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 150 mOhm; 15,5A; 65W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: NTD20P06LT4G; NTD20P06LT4; NTD20P06L001;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 15,5A
Maximaler Leistungsverlust: 65W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NTD20P06LT4G Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
52500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3790
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 15,5A
Maximaler Leistungsverlust: 65W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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