NTD20P06L smd
Symbol Micros:
TNTD20p06l001
Gehäuse: TO252 (DPAK)
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 150 mOhm; 15,5A; 65W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: NTD20P06LT4G; NTD20P06LT4; NTD20P06L001;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 150mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 65W |
| Max. Drainstrom: | 15,5A |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 150mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 65W |
| Max. Drainstrom: | 15,5A |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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