NTD24N06L
Symbol Micros:
TNTD24N06L
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET 24A 60V 1.36W NTD24N06LT4G NTD24N06LT4
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 36mOhm |
Max. Drainstrom: | 24A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,36W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTD24N06LT4G RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
36 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8125 | 0,5110 | 0,4239 | 0,3768 | 0,3532 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTD24N06LT4G
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
85000 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4609 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTD24N06LT4G
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
117500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,4106 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTD24N06LT4G
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
7500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4203 |
Widerstand im offenen Kanal: | 36mOhm |
Max. Drainstrom: | 24A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,36W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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