NTD24N06L

Symbol Micros: TNTD24N06L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
N-MOSFET 24A 60V 1.36W NTD24N06LT4G NTD24N06LT4
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 24A
Maximaler Leistungsverlust: 1,36W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NTD24N06LT4G RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
36 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,7963 0,5008 0,4154 0,3693 0,3462
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NTD24N06LT4G Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
32500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3559
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 24A
Maximaler Leistungsverlust: 1,36W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD