NTD24N06L

Name: TNTD24N06L TNTD24N06L
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TNTD24N06L
Price: 0.4096 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TNTD24N06L

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-MOSFET 24A 60V 1.36W NTD24N06LT4G NTD24N06LT4

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	36mOhm
Max. Drainstrom:	24A
Maximaler Leistungsverlust:	1,36W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTD24N06LT4G RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

36 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,8106	0,5098	0,4229	0,3759	0,3524

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTD24N06LT4G Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

85000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4598

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTD24N06LT4G Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

117500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4096

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTD24N06LT4G Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

7500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4193

Widerstand im offenen Kanal:	36mOhm
Max. Drainstrom:	24A
Maximaler Leistungsverlust:	1,36W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD