NTD24N06L

Symbol Micros: TNTD24N06L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-MOSFET 24A 60V 1.36W NTD24N06LT4G NTD24N06LT4
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 24A
Maximaler Leistungsverlust: 1,36W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NTD24N06LT4G Gehäuse: TO252 (DPAK)  
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5000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3772
Standard-Verpackung:
2500
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 24A
Maximaler Leistungsverlust: 1,36W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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