NTD24N06L

Symbol Micros: TNTD24N06L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET 24A 60V 1.36W NTD24N06LT4G NTD24N06LT4
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 24A
Maximaler Leistungsverlust: 1,36W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTD24N06LT4G RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
36 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8125 0,5110 0,4239 0,3768 0,3532
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTD24N06LT4G Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
85000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4609
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTD24N06LT4G Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
117500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4106
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTD24N06LT4G Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
7500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4203
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 24A
Maximaler Leistungsverlust: 1,36W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD