NTD24N06L

Symbol Micros: TNTD24N06L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-MOSFET 24A 60V 1.36W NTD24N06LT4G NTD24N06LT4
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 24A
Maximaler Leistungsverlust: 1,36W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NTD24N06LT4G RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
36 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8146 0,5124 0,4250 0,3778 0,3542
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NTD24N06LT4G Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3542
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 24A
Maximaler Leistungsverlust: 1,36W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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