NTD25P03LG smd

Symbol Micros: TNTD25P03
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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P-MOSFET-Transistor; 30V; 15V; 90mOhm; 25A; 75W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTD25P03LT4G; DMP3028LK3; NTD25P03LG(UMW); NTD25P03LG-HXY; NTD25P03LG-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 15V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NTD25P03LT4G RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
5146 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7426 0,4698 0,3713 0,3392 0,3232
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Standard-Verpackung:
2500
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NTD25P03LT4G Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
17500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3253
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 15V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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