NTD25P03LG DPAK UMW

Symbol Micros: TNTD25P03 UMW

Gehäuse: TO252 (DPACK)

Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 52mOhm; 12,9A; 2,7W; -55°C~150°C; NTD25P03LG(UMW); NTD25P03LG-HXY; NTD25P03LG-VB;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	52mOhm
Max. Drainstrom:	12,9A
Maximaler Leistungsverlust:	2,7W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	UMW
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	52mOhm
Max. Drainstrom:	12,9A
Maximaler Leistungsverlust:	2,7W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	UMW
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD