TNTD4858n-35g
Symbol Micros:
TNTD4858n-35g
Gehäuse: IPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 20V; 6,2mOhm; 25A; 54W; -55°C~175°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 6,2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 25A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 54W |
| Gehäuse: | IPAK |
| Hersteller: | ONSEMI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 25V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 6,2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 25A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 54W |
| Gehäuse: | IPAK |
| Hersteller: | ONSEMI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 25V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
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