NTD5865N TO252
Symbol Micros:
TNTD5865n c
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 85W; -55°C~175°C; NTD5865NLT4G
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 20mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 85W |
| Gehäuse: | TO-252-3L |
| Hersteller: | TECH PUBLIC |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 20mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 85W |
| Gehäuse: | TO-252-3L |
| Hersteller: | TECH PUBLIC |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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