NTD5867N

Symbol Micros: TNTD5867n c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Substitute: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 33mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: NTD5867NLT4G RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,6772 0,4233 0,3386 0,3033 0,2939
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Standard-Verpackung:
150
Widerstand im offenen Kanal: 33mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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