NTD5867NLT4G
Symbol Micros:
TNTD5867nl c
Gehäuse: TO252 (DPACK)
TO-252 MOSFETs ROHS Ähnlich zu: TECH PUBLIC NTD5867NLT4G; ONSEMI NTD5867NLT4G; VBSEMI NTD5867NLT4G-VB; HXY-MOSFET NTD5867NLT4G-HXY; UMW NTD5867NLT4G(UMW);
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 14mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | YFW |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 2V |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-10-30
Anzahl Stück: 200
| Widerstand im offenen Kanal: | 14mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | YFW |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 2V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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