NTE4151PT1G
Symbol Micros:
TNTE4151p
Gehäuse: SC89-3
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 6V; 360 mOhm; 760mA; 313 mW; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 360mOhm |
| Max. Drainstrom: | 760mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 760mW |
| Gehäuse: | SC89-3 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 4,5V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 360mOhm |
| Max. Drainstrom: | 760mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 760mW |
| Gehäuse: | SC89-3 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 4,5V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 6V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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