NTE4151PT1G

Symbol Micros: TNTE4151p
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Gehäuse: SC89-3
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 6V; 360 mOhm; 760mA; 313 mW; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 360mOhm
Max. Drainstrom: 760mA
Maximaler Leistungsverlust: 760mW
Gehäuse: SC89-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Msx. Drain-Gate Spannung: 4,5V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NTE4151PT1G Gehäuse: SC89-3  
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Nettopreis (EUR) 0,0162
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40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 360mOhm
Max. Drainstrom: 760mA
Maximaler Leistungsverlust: 760mW
Gehäuse: SC89-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Msx. Drain-Gate Spannung: 4,5V
Max. Gate-Source Spannung: 6V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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