NTE4153NT1G
Symbol Micros:
TNTE4153n
Gehäuse: SC89-3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 6V; 230 mOhm; 915mA; 300 mW; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 230mOhm |
| Max. Drainstrom: | 915mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SC89-3 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 4,5V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTE4153NT1G
Gehäuse: SC89-3
Externes Lager:
12000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0265 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTE4153NT1G
Gehäuse: SC89-3
Externes Lager:
189000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0255 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 230mOhm |
| Max. Drainstrom: | 915mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SC89-3 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 4,5V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 6V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
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