NTF2955T1G SOT223
Symbol Micros:
TNTF2955
Gehäuse: SOT223
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 185 mOhm; 2,6A; 2,3 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 185mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,3W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTF2955T1G RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,2347 | 1,8193 | 1,5786 | 1,4630 | 1,3970 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTF2955T1G
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
55000 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,3970 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTF2955T1G
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
53000 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 1,3970 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTF2955T1G
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
7000 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,3970 |
Widerstand im offenen Kanal: | 185mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,3W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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