NTF2955T1G SOT223
Symbol Micros:
TNTF2955
Gehäuse: SOT223
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 185 mOhm; 2,6A; 2,3 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 185mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,3W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 185mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,3W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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