NTF2955T1G SOT223

Symbol Micros: TNTF2955
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 185 mOhm; 2,6A; 2,3 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 185mOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 2,3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTF2955T1G RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 2,2347 1,8193 1,5786 1,4630 1,3970
Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTF2955T1G Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
55000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,3970
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTF2955T1G Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
53000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,3970
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTF2955T1G Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
7000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,3970
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 185mOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 2,3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD