NTF3055-100T1G
Symbol Micros:
TNTF3055-100
Gehäuse: SOT223
N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 110mOhm; 3A; 2,1 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: NTF3055-100T3G;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 110mOhm |
Max. Drainstrom: | 3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,1W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTF3055-100T1G RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7854 | 0,4929 | 0,4104 | 0,3656 | 0,3420 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTF3055-100T1G
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3420 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTF3055-100T1G
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
147000 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3420 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTF3055-100T1G
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
18000 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3420 |
Widerstand im offenen Kanal: | 110mOhm |
Max. Drainstrom: | 3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,1W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole