NTF3055L108T1G

Symbol Micros: TNTF3055L108

Gehäuse: SOT223

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 15V; 120 mOhm; 3A; 2,1 W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	120mOhm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	2,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTF3055L108T1G Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

189000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2886

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTF3055L108T1G Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2829

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTF3055L108T1G Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

214500 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2375

Widerstand im offenen Kanal:	120mOhm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	2,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	15V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD