NTF3055L108T1G

Symbol Micros: TNTF3055L108

Gehäuse: SOT223

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 15V; 120 mOhm; 3A; 2,1 W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	120mOhm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	2,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NTF3055L108T1G Gehäuse: SOT223

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Anzahl Stück	1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2156

Widerstand im offenen Kanal:	120mOhm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	2,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	15V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD