NTF3055L108T1G
Symbol Micros:
TNTF3055L108
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 15V; 120 mOhm; 3A; 2,1 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,1W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTF3055L108T1G
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
91000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2823 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTF3055L108T1G
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
1000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2293 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTF3055L108T1G
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
222500 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2367 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,1W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 15V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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