NTGS3443T1G

Name: TNTGS3443 TNTGS3443
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TNTGS3443
Price: 0.1547 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TNTGS3443

Gehäuse: TSOP06

P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 100 mOhm; 3.1A; 1W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	3,1A
Maximaler Leistungsverlust:	1W
Gehäuse:	TSOP06
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTGS3443T1G RoHS Gehäuse: TSOP06 t/r Datenblatt

Auf Lager:

95 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4022	0,2217	0,1744	0,1613	0,1547

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTGS3443T1G Gehäuse: TSOP06

Externes Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1547

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTGS3443T1G Gehäuse: TSOP06

Externes Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1547

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	3,1A
Maximaler Leistungsverlust:	1W
Gehäuse:	TSOP06
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD