NTGS3443T1G

Symbol Micros: TNTGS3443
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOP06
P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 100 mOhm; 3.1A; 1W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 3,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTGS3443T1G RoHS Gehäuse: TSOP06 t/r Datenblatt
Auf Lager:
95 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3998 0,2203 0,1733 0,1604 0,1538
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTGS3443T1G Gehäuse: TSOP06  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1538
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTGS3443T1G Gehäuse: TSOP06  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1538
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTGS3443T1G Gehäuse: TSOP06  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1538
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 3,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD