NTGS3455T1G
Symbol Micros:
TNTGS3455
Gehäuse: TSOP06
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 100 mOhm; 2,5A; 500 mW; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 100mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | TSOP06 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 100mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | TSOP06 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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