NTGS5120PT1G

Symbol Micros: TNTGS5120p
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Gehäuse: TSOP06
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 111mOhm; 1,8A; 600 mW; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 111mOhm
Max. Drainstrom: 1,8A
Maximaler Leistungsverlust: 600mW
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NTGS5120PT1G Gehäuse: TSOP06  
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Nettopreis (EUR) 0,0955
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40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 111mOhm
Max. Drainstrom: 1,8A
Maximaler Leistungsverlust: 600mW
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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