NTGS5120PT1G

Name: TNTGS5120p TNTGS5120p
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TNTGS5120p
Price: 0.1001 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TNTGS5120p

Gehäuse: TSOP06

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 111mOhm; 1,8A; 600 mW; -55°C~150°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	111mOhm
Max. Drainstrom:	1,8A
Maximaler Leistungsverlust:	600mW
Gehäuse:	TSOP06
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	10V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTGS5120PT1G Gehäuse: TSOP06

Externes Lager:

30000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1084

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTGS5120PT1G Gehäuse: TSOP06

Externes Lager:

159000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1650

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTGS5120PT1G Gehäuse: TSOP06

Externes Lager:

567000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1001

Widerstand im offenen Kanal:	111mOhm
Max. Drainstrom:	1,8A
Maximaler Leistungsverlust:	600mW
Gehäuse:	TSOP06
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	10V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD