NTJD1155L

Symbol Micros: TNTJD1155l
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC-88
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N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 8V; 8V; 320 mOhm; 1,3A; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTJD1155LT1G;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 320mOhm
Max. Drainstrom: 1,3A
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: SC-88
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 8V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NTJD1155LT1G RoHS Gehäuse: SC-88 t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3663 0,2412 0,1720 0,1504 0,1411
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 320mOhm
Max. Drainstrom: 1,3A
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: SC-88
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 8V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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