NTJD1155L

Name: TNTJD1155l TNTJD1155l
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TNTJD1155l
Price: 0.1385 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TNTJD1155l

Gehäuse: SC-88

N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 8V; 8V; 320 mOhm; 1,3A; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTJD1155LT1G;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	320mOhm
Max. Drainstrom:	1,3A
Maximaler Leistungsverlust:	400mW
Gehäuse:	SC-88
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	8V
Transistor-Typ:	N/P-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTJD1155LT1G RoHS Gehäuse: SC-88 t/r Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3311	0,1820	0,1430	0,1324	0,1270

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTJD1155LT1G Gehäuse: SC-88

Externes Lager:

24000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1270

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTJD1155LT1G Gehäuse: SC-88

Externes Lager:

438000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1270

Widerstand im offenen Kanal:	320mOhm
Max. Drainstrom:	1,3A
Maximaler Leistungsverlust:	400mW
Gehäuse:	SC-88
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	8V
Transistor-Typ:	N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD