NTLJD3119CTBG

Symbol Micros: TNTLJD3119ctbg
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: WDFN6 =ODFN6(2.1x2)
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N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 65mOhm; 2,6A; 710 mW; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 710mW
Gehäuse: WDFN6 (2x2)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Msx. Drain-Gate Spannung: 4,5V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTLJD3119CTBG Gehäuse: WDFN6 =ODFN6(2.1x2)  
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6000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2687
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 710mW
Gehäuse: WDFN6 (2x2)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Msx. Drain-Gate Spannung: 4,5V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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