NTLJD3119CTBG
Symbol Micros:
TNTLJD3119ctbg
Gehäuse: WDFN6 =ODFN6(2.1x2)
N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 65mOhm; 2,6A; 710 mW; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 65mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 710mW |
| Gehäuse: | WDFN6 (2x2) |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 4,5V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 65mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 710mW |
| Gehäuse: | WDFN6 (2x2) |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 4,5V |
| Transistor-Typ: | N/P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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