NTLJD4116NT1G
Symbol Micros:
TNTLJD4116n
Gehäuse: WDFN6 =ODFN6(2.1x2)
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 15V; 70mOhm; 2,5A; 710 mW; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 70mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 710mW |
| Gehäuse: | WDFN6 (2x2) |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 4,5V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 70mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 710mW |
| Gehäuse: | WDFN6 (2x2) |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 4,5V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 15V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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