NTLJS2103PTBG
Symbol Micros:
TNTLJS2103ptbg
Gehäuse: WDFN6 =ODFN6(2.1x2)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 40mOhm; 3,5A; 700 mW; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 700mW |
| Gehäuse: | WDFN6 (2x2) |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 12V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 4,5V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 700mW |
| Gehäuse: | WDFN6 (2x2) |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 12V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 4,5V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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