NTMD4N03R2G
Symbol Micros:
TNTMD4n03
Gehäuse: SOP08
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 60mOhm; 4A; 2W; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 60mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTMD4N03R2G
Gehäuse: SOP08
Externes Lager:
2500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2568 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTMD4N03R2G
Gehäuse: SOP08
Externes Lager:
2500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2441 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 60mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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