TNTMD6n02
Symbol Micros:
TNTMD6n02
Gehäuse: SOP08
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 16V; 35mOhm; 3,92A; 730mW; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 35mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,92A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 730mW |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 4,5V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 35mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,92A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 730mW |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 4,5V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole