G33N03D52

Symbol Micros: TNTMFD4c20n GO

Gehäuse: DFN08(5x6)

MOSFET-Transistor; DFN5*6-8L; DUAL; N+N-Channel; NO ESD; 30V; 33A; 29W; 1,85 V; 30mOhm NTMFD4C20NT1G; NTMFD4C20NT3G

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	30mOhm
Max. Drainstrom:	33A
Maximaler Leistungsverlust:	29W
Gehäuse:	DFN08(5x6) Dual
Hersteller:	GOFORD
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	30mOhm
Max. Drainstrom:	33A
Maximaler Leistungsverlust:	29W
Gehäuse:	DFN08(5x6) Dual
Hersteller:	GOFORD
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD