NTR0202PLT1G

Symbol Micros: TNTR0202pl
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 1,1 Ohm; 400mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR0202PLT3G;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,1Ohm
Max. Drainstrom: 400mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 1,1Ohm
Max. Drainstrom: 400mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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