NTR1P02T1G

Symbol Micros: TNTR1P02
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 280 mOhm; 1A; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR1P02T3G;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NTR1P02LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 400+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2072 0,1142 0,0756 0,0640 0,0592
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Standard-Verpackung:
400
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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