NTR1P02T1G
Symbol Micros:
TNTR1P02
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 280 mOhm; 1A; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR1P02T3G;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 400mW |
| Max. Drainstrom: | 1A |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 400mW |
| Max. Drainstrom: | 1A |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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