NTR1P02T1G

Name: TNTR1P02 TNTR1P02
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TNTR1P02
Price: 0.0750 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TNTR1P02

Gehäuse: SOT23

P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 280 mOhm; 1A; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR1P02T3G;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	280mOhm
Max. Drainstrom:	1A
Maximaler Leistungsverlust:	400mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTR1P02LT1G RoHS P2. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

500 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	400+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2634	0,1449	0,0960	0,0811	0,0750

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTR1P02T1G Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

24000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0750

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTR1P02T1G Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

57000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0750

Widerstand im offenen Kanal:	280mOhm
Max. Drainstrom:	1A
Maximaler Leistungsverlust:	400mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD