NTR1P02LT1G

Symbol Micros: TNTR1P02l
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 350 mOhm; 1,3A; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR1P02LT3G;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 350mOhm
Max. Drainstrom: 1,3A
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NTR1P02LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1380 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2280 0,1260 0,0838 0,0700 0,0651
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 350mOhm
Max. Drainstrom: 1,3A
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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