NTR1P02LT1G

Name: TNTR1P02l TNTR1P02l
Brand: ON-Semiconductor
SKU: TNTR1P02l
Price: 0.0640 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TNTR1P02l

Gehäuse: SOT23

P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 350 mOhm; 1,3A; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR1P02LT3G;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	350mOhm
Max. Drainstrom:	1,3A
Maximaler Leistungsverlust:	400mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Max. Gate-Source Spannung:	12V

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NTR1P02LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

1380 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2241	0,1239	0,0824	0,0688	0,0640

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NTR1P02LT1G Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

21000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0640

Widerstand im offenen Kanal:	350mOhm
Max. Drainstrom:	1,3A
Maximaler Leistungsverlust:	400mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD