NTR2101PT1G

Symbol Micros: TNTR2101p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 52mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 960mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 8V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTR2101PT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
210000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0500
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 52mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 960mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 8V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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