NTR2101PT1G
Symbol Micros:
TNTR2101p
Gehäuse: SOT23
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 52mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 960mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 8V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 52mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 960mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 8V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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