NTR4171PT1G
Symbol Micros:
TNTR4171p
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 150 mOhm; 2,2A; 480 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR4171PT3G;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 150mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 480mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTR4171PT1G Pbf TRF
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2519 | 0,1608 | 0,1128 | 0,0979 | 0,0916 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTR4171PT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
489000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0916 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTR4171PT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
111000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0916 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 150mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 480mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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