NTR4503NT1G

Symbol Micros: TNTR4503n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 140 mOhm; 2A; 730 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR4503NT3G;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 140mOhm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 730mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTR4503NT1G RoHS TR3 Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2754 0,1518 0,1005 0,0836 0,0786
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Standard-Verpackung:
500
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTR4503NT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
99000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0786
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 140mOhm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 730mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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