NTR5103NT1G

Symbol Micros: TNTR5103n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 30V; 3Ohm; 260mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 260mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NTR5103NT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2161 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1746 0,0829 0,0466 0,0354 0,0317
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NTR5103NT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
339000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0317
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 260mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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