NTR5198NLT1G
Symbol Micros:
TNTR5198nl
Gehäuse: SOT23
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 155 mOhm; 2,2A; -55 °C ~ 155 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 155mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,5W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTR5198NLT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
63000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0480 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTR5198NLT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
537000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0472 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 155mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,5W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 155°C |
| Montage: | SMD |
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