NTTYS009N08HLTWG onsemi

Symbol Micros: TNTTYS009N08HLTWG

Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)

T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	11mOhm
Max. Drainstrom:	58A
Maximaler Leistungsverlust:	73W
Gehäuse:	LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Widerstand im offenen Kanal:	11mOhm
Max. Drainstrom:	58A
Maximaler Leistungsverlust:	73W
Gehäuse:	LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD