NTZD3154NT1G
Symbol Micros:
TNTZD3154n
Gehäuse: SOT666
Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 20V; 7V; 900mOhm; 540mA; 280mW; -55°C ~ 150°C; NTZD3154NT5G
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 900mOhm |
| Max. Drainstrom: | 540mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 280mW |
| Gehäuse: | SOT666 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 7V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 900mOhm |
| Max. Drainstrom: | 540mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 280mW |
| Gehäuse: | SOT666 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 7V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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