NVF2955T1G

Symbol Micros: TNVF2955t
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 185mOhm; 2,6A; 2,3W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 185mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 2,3W
Max. Drainstrom: 2,6A
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NVF2955T1G RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,8960 0,5950 0,4737 0,4340 0,4270
Standard-Verpackung:
150
Widerstand im offenen Kanal: 185mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 2,3W
Max. Drainstrom: 2,6A
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD