NVF2955T1G
Symbol Micros:
TNVF2955t
Gehäuse: SOT223
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 185mOhm; 2,6A; 2,3W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 185mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,3W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: NVF2955T1G RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9066 | 0,6021 | 0,4793 | 0,4391 | 0,4321 |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: NVF2955T1G
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
5000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4321 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 185mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,3W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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