NVGS5120PT1G
Symbol Micros:
TNVGS5120p
Gehäuse: TSOP06
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A Automotive 6-Pin TSOP
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,25Ohm |
| Max. Drainstrom: | -0,115A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | -20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,25Ohm |
| Max. Drainstrom: | -0,115A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | -20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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