NVH4L015N065SC1 onsemi

Symbol Micros: TNVH4L015N065SC1

Gehäuse: TO247-4

SIC MOS TO247-4L 650V Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	15mOhm
Max. Drainstrom:	142A
Maximaler Leistungsverlust:	500W
Gehäuse:	TO247-4L
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	15mOhm
Max. Drainstrom:	142A
Maximaler Leistungsverlust:	500W
Gehäuse:	TO247-4L
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	22V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT