NVMFD6H852NLT1G 

Symbol Micros: TNVMFD6H852NLT1G
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DFN08
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80V 25A 25.5mΩ@10V,25A 38W 2V 2 N-Channel DFN-8(4.9x5.9) MOSFETs ROHS Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 31,5mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 3,2W
Gehäuse: DFN08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NVMFD6H852NLT1G Gehäuse: DFN08  
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Nettopreis (EUR) 0,5941
Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 31,5mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 3,2W
Gehäuse: DFN08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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