NVMFD6H852NLT1G
Symbol Micros:
TNVMFD6H852NLT1G
Gehäuse: DFN08
80V 25A 25.5mΩ@10V,25A 38W 2V 2 N-Channel DFN-8(4.9x5.9) MOSFETs ROHS Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 31,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 25A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,2W |
| Gehäuse: | DFN08 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 31,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 25A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,2W |
| Gehäuse: | DFN08 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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