NVMFS3D0P04M8LT1G onsemi

Symbol Micros: TNVMFS3D0P04M8LT1G

Gehäuse: DFN05(5x6)

Transistor P-Kanal MOSFET; 40V; 20V; 4,3mOhm; 183A; 171W; -55°C ~ 175°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,3mOhm
Max. Drainstrom:	183A
Maximaler Leistungsverlust:	171W
Gehäuse:	DFN05(5x6)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Widerstand im offenen Kanal:	4,3mOhm
Max. Drainstrom:	183A
Maximaler Leistungsverlust:	171W
Gehäuse:	DFN05(5x6)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD