NVMFWS014P04M8LT1G

Symbol Micros: TNVMFWS014P04M8LT1G
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DFN5
P-Channel 40 V 12.5A (Ta), 52.1A (Tc) 3.6W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 19,7mOhm
Max. Drainstrom: 12,5A
Maximaler Leistungsverlust: 3,6W
Gehäuse: DFN5
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 19,7mOhm
Max. Drainstrom: 12,5A
Maximaler Leistungsverlust: 3,6W
Gehäuse: DFN5
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD