NVR5124PLT1G
Symbol Micros:
TNVR5124pl
Gehäuse: SOT23
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 365 mOhm; 1,1A; 470 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 365mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 470mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NVR5124PLT1G RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4943 | 0,2754 | 0,2166 | 0,2043 | 0,1977 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NVR5124PLT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
675000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1977 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NVR5124PLT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
45000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1977 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NVR5124PLT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1977 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 365mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 470mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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