NX2301P,215
Symbol Micros:
TNX2301p
Gehäuse: SOT23-3
P-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 270 mOhm; 2A; 710 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NX2301P,215; NX2301P.215;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 710mW |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: NX2301P RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5555 | 0,3366 | 0,2589 | 0,2333 | 0,2220 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 710mW |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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