NX3008CBKS

Symbol Micros: TNX3008cbks
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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N/P-MOSFET-Transistor; 30V; 8V; 2,8 Ohm/7,8 Ohm; 350mA/200mA; 445 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NX3008CBKS.115;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,8Ohm
Max. Drainstrom: 350mA
Maximaler Leistungsverlust: 445mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: NX3008CBKS RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2358 0,1308 0,0869 0,0726 0,0675
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: NX3008CBKS,115 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
51000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0675
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 7,8Ohm
Max. Drainstrom: 350mA
Maximaler Leistungsverlust: 445mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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