NX3008NBKW NXP

Symbol Micros: TNX3008nbkw

Gehäuse: SOT323

N-MOSFET-Transistor; 30V; 8V; 2,8 Ohm; 350mA; 310 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NX3008NBKW,115; NX3008NBKW.115;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,8Ohm
Max. Drainstrom:	350mA
Maximaler Leistungsverlust:	310mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: NX3008NBKW,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt

Auf Lager:

45 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,1428	0,0675	0,0378	0,0286	0,0260

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: NX3008NBKW,115 Gehäuse: SOT323

Externes Lager:

9000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0260

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: NX3008NBKW,115 Gehäuse: SOT323

Externes Lager:

54000 stk.

Anzahl Stück	18000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0260

Widerstand im offenen Kanal:	2,8Ohm
Max. Drainstrom:	350mA
Maximaler Leistungsverlust:	310mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD