NX3008PBK NXP

Symbol Micros: TNX3008pbk
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive 3-Pin TO-236AB NX3008PBK,215 NX3008PBK.215
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,1Ohm
Max. Drainstrom: 230mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 4,1Ohm
Max. Drainstrom: 230mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD