NX3008PBKW

Symbol Micros: TNX3008pbkw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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P-MOSFET -200mA -30V 0.26W 4.1Ohm; NX3008PBKW,115
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,1Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 260mW
Max. Drainstrom: -200mA
Gehäuse: SOT323
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: -30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: NX3008PBKW,115 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
399000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0223
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,1Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 260mW
Max. Drainstrom: -200mA
Gehäuse: SOT323
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: -30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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