NX3008PBKW
Symbol Micros:
TNX3008pbkw
Gehäuse: SOT323
P-MOSFET -200mA -30V 0.26W 4.1Ohm; NX3008PBKW,115
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,1Ohm |
| Max. Drainstrom: | -200mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 260mW |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | -30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: NX3008PBKW,115
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
69000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0246 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: NX3008PBKW,115
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
408000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0241 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: NX3008PBKW,115
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
114000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0236 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,1Ohm |
| Max. Drainstrom: | -200mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 260mW |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | -30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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