NX3020NAKVYL

Symbol Micros: TNX3020nakvyl
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT666
Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-666
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: -0,115A
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SOT666
Hersteller: Nexperia
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: -0,115A
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SOT666
Hersteller: Nexperia
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD